MJ11033G中文资料
MJ11033G图片
- 大小：116.1KB
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： Bipolar Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:120V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.5V; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-204 ;RoHS Compliant: Yes
- 标准包装：100
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3.5V @ 500mA，50A
- 电流 - 集电极截止（最大）：2mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 25A，5V
- 功率 - 最大：300W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-204AE
- 供应商设备封装：TO-3
- 包装：托盘
- 其它名称：MJ11033GOS
MJ11033G供应商
更新时间:2023-01-04 05:00:39- 供应商
- 产品型号
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- 说明
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MJ11033G/16511651
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原厂代理 终端免费提供样品
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原厂代理 终端免费提供样品
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MJ11033G
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只做原装，可回收IC,寻求渠道合作
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原厂原装现货,提供一站式配单服务
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北京电子市场柜台现货，低价销售，欢迎查询
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